2.随着环境温度的升高，灵敏度降低。由于材料特性（热电偶材料、薄膜材料），在较高的环境温度下，灵敏度（每吸收辐射伏特数）较低。这种热电堆特性用温度系数TCSENS表示。

事实1的结果是，整个曲线在不同的电压水平下移动，这取决于环境温度。这些曲线之间的距离在这里称为偏移VOFFS。

No 2的结果是曲线的梯度（与热电堆灵敏度成正比）随着环境温度的升高而减小。温度越高，曲线越平坦。

请注意，特性曲线形式不受这两个因素的影响。事实1只会改变曲线，事实2会压缩曲线。根据环境温度拉伸曲线。曲线特性仅取决于热电堆的滤波特性。在大多数应用中，滤波器特性的这种变化可以忽略不计。

通过了解特定热电堆的灵敏度和温度系数TCSENS，可以确定与参考热电堆的关系，从而计算目标温度。查表与反查表

本章简要说明了如何测量参考查找表所需的参考值。描述了该LUT的基本操作。

参考TP应为具有平均水平灵敏度的热电堆。应在应用中进行测量。这意味着应测量整个信号路径（包括预放大…）。

测量结果可以在右边的表格中。

步长取决于后期温度检测所需的精度和微控制器中的可用内存。

算法后面需要对该LUT执行两个操作：

1.V=LUT（T）

2.T=RLUT（V）

例子：

V=LUT（T=45°C）=1.70mV

T=RLUT（V=4.34mV）=70°C

TS118-1传感器温度=25°C物体温度[°C]VTP[毫伏]

校准

校准是指：

测量热电堆参数，之后需要确定实际测量的热电堆电压和参考热电堆电压之间的联系。将这些参数存储在传感器的非易失性存储器中。

所需参数是TCSENS和与参考传感器相比的灵敏度，灵敏度转换系数SCONV。

在某些应用中，根本不需要确切地知道每个传感器的TCSENS，这意味着应该考虑数据表值。在这种情况下，只需要“一次环境温度校准”来测量灵敏度。

请参见下面的示例如何测量SCONV。

在该示例中，在TSEN=TREF=25°C和TOBJ=100°C时，将校准中TP的电压与参考TP的电压进行比较。结果是灵敏度转换系数SCONV为0.982。该值必须存储在校准传感器的非易失性存储器中。